High-Frequency GaN Electronic Devices

Cet ouvrage rassemble les recherches récentes de scientifiques et d'ingénieurs d'appareils travaillant à la fois sur des transistors conventionnels à l'échelle agressive et sur des concepts non conventionnels de dispositifs à haute fréquence dans le système de matériaux III-N. Les concepts de dispositifs pour le fonctionnement de l'onde mm à la fréquence THz basés sur des HEMTs à grande échelle, ainsi que les conceptions de dispositifs distribués basés sur la propagation de l'onde plasma dans les canaux 2DEG induits par polarisation, le tunneling et l'injection à porteuse chaude sont examinés en détail, ainsi que les progrès de la science des matériaux qui permettent ces démonstrations et les progrès en métrologie qui permettent une caractérisation précise et une évaluation des nouveaux concepts.Ciblant les lecteurs qui cherchent à repousser les limites de la recherche sur les dispositifs électroniques à base de GaN, cet ouvrage propose un traitement actuel et complet des concepts de dispositifs et de la phénoménologie physique adaptés à l'application du GaN et des matériaux connexes aux applications ultra-haute fréquence émergentes.

• Offre aux lecteurs un traitement intégré de l'état de l'art dans les architectures de mise à l'échelle conventionnelles (c.-à-d. HEMT) et non conventionnelles des dispositifs d'amplification et de génération de signaux en ondes mm et THz utilisant des dispositifs à base de GaN, écrit par des auteurs qui sont des experts actifs et bien connus dans le domaine ;
• Discute à la fois des HEMTs à l'échelle conventionnelle (dans l'onde mm profonde) et des approches non conventionnelles pour aborder les régimes d'onde mm et de THz ;
• Fournit une couverture "intégrée verticalement", y compris la science des matériaux qui permet ces avancées récentes, ainsi que la physique et la conception des dispositifs, et les techniques de métrologie ;
• Comprend la physique fondamentale, ainsi que des simulations numériques et des réalisations expérimentales.