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Ajouter à ma liste d'envies Introduction to Magnetic Random-Access Memory Bernard Dieny , Ronald B. Goldfarb , Kyung-Jin Lee Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed,... Parution : 2016-11-15 Format(s) : PDF, ePub Éditeur : Wiley-IEEE Press PDF ePub J'achète 128,66 €

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Introduction to Magnetic Random-Access Memory

Bernard Dieny , Ronald B. Goldfarb , Kyung-Jin Lee

Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed,...

Parution : 2016-11-15

Format(s) : PDF, ePub

Éditeur : Wiley-IEEE Press

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